功能描述：MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK

制造商：nexperia usa inc.

系列：TrenchMOS??

包装：剪切带（CT）

零件状态：Digi-Key 停止供應

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：8.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：498pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：37W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：98 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669

标准包装：1

BUK7Y9R9-80EX

BUK866-400IZ

BUK9107-40ATC

BUK9107-40ATC,118

BUK9107-40ATC/T3

BUK9107-55ATE

BUK9107-55ATE,118

BUK9107-55ATE/T3

BUK9180-100A

BUK9206-40C